安芯美注重于技術創新與知識產權保護，現擁有國家專利95項，其中發明專利91項，實用新型3項，外觀設計1項，專利涵蓋襯底、外延、芯片、封裝、應用等多個領域。
| 專利號 | 專利名稱 | 專利種類 |
| 202030081138.5 | 便攜式殺菌餐具盒 | 外觀設計 |
| 201922085174.3 | 殺菌除味器 | 實用新型 |
| 201911105889.9 | 一種LED封裝結構 | 發明 |
| 201910535189.7 | 一種半導體結構 | 發明 |
| 201910535164.7 | 一種發光二極管芯片及其制造方法 | 發明 |
| 201910400487.5 | 一種隔離槽的制造方法及其應用 | 發明 |
| 201811510747.6 | 一種發光二極管芯片及其制備方法 | 發明 |
| 201811510723.0 | 發光二極管外延結構的制備方法 | 發明 |
| 201811424969.6 | 一種發光二極體外延結構的制造方法及其應用 | 發明 |
| 201811416176.X | 一種半導體元件的切割方法及制造方法 | 發明 |
| 201811415026.7 | 一種金屬有機物化學氣相沉積設備的反應腔體的清潔方法 | 發明 |
| 201811397338.X | 一種氮化鋁外延層生長方法 | 發明 |
| 201811180931.9 | 一種LED外延結構生長方法 | 發明 |
| 201810312186.2 | 一種提高發光面占比的高壓LED芯片制備方法 | 發明 |
| 201710828420.2 | 一種LED芯片光功率的測試方法 | 發明 |
| 201710756746.9 | 一種提升高壓LED芯片發光效率的方法 | 發明 |
| 201710705340.8 | 優化紫外LED發光層的外延結構及其生長方法 | 發明 |
| 201710704823.6 | 紫光LED外延結構及其生長方法 | 發明 |
| 201710704820.2 | 提高紫光LED發光效率的外延結構及其生長方法 | 發明 |
| 201710704794.3 | 紫外LED外延結構及其生長方法 | 發明 |
| 201710388108.6 | 一種深紫外LED芯片的制造方法 | 發明 |
| 201710380627.8 | 一種LED金屬電極結構及其制備方法 | 發明 |
| 201710354841.6 | 一種用于LED芯片減薄過程中銅拋光液供給設備 | 發明 |
| 201710137877.9 | 一種GaN基HEMT器件外延結構及其生長工藝 | 發明 |
| 201610890526.0 | 一種測試分選分色的方法 | 發明 |
| 201610418150.3 | 一種高亮度青光LED外延結構及生產工藝 | 發明 |
| 201610373575.7 | 一種紫外LED有源區多量子阱的生長方法 | 發明 |
| 201510297482.6 | 一種新型高亮PSS的制備方法 | 發明 |
| 201510278486.X | 一種反射電極制程工藝 | 發明 |
| 201510230317.9 | 多規格光刻版清洗治具 | 發明 |
| 201510230274.4 | 顯微鏡載片臺 | 發明 |
| 201510229945.5 | 高溫石英加熱槽的制作方法 | 發明 |
| 201510229939.X | 清除LED芯片光刻標記點殘金的方法 | 發明 |
| 201510222207.8 | 一種LED報廢片襯底恢復再利用的方法 | 發明 |
| 201510056425.9 | 一種改善GaN基LED芯片電流擴展的外延方法 | 發明 |
| 201510035749.4 | 一種適合高電流密度的GaN基LED外延結構及其生長方法 | 發明 |
| 201410834957.6 | 一種LED芯片多功能自動尋邊器 | 發明 |
| 201410834914.8 | 一種降低LED電極耗Au量的蒸鍍機 | 發明 |
| 201410828370.4 | 一種LED剝金機載片盤 | 發明 |
| 201410828355.X | 一種LED清洗籃墊塊 | 發明 |
| 201410828343.7 | 一種等離子清洗設備 | 發明 |
| 201410827750.6 | 一種多尺寸LED芯片兼容石英清洗提籃 | 發明 |
| 201410091144.2 | 一種提高氮化鎵晶體質量的復合成核層的生長方法 | 發明 |
| 201410091099.0 | 一種GaN基外延層表面粗化的LED芯片制作方法 | 發明 |
| 201410090745.1 | 一種以藍寶石襯底為基板的GaN基LED多階緩沖層生長方法 | 發明 |
| 201410090733.9 | 一種GaN量子阱結構的生長方法 | 發明 |
| 201410090720.1 | 一種Mg摻雜P型GaN外延生長方法 | 發明 |
| 201410090582.7 | 一種提高GaN基LED發光亮度的外延方法 | 發明 |
| 201410090564.9 | 一種新型甩干機過濾器加熱系統 | 發明 |
| 201410090546.0 | 一種改善氮化鎵基發光二極管的反向漏電的外延生長方法 | 發明 |
| 201410090325.3 | 一種具有循環結構的P型插入層及生長方法 | 發明 |
| 201410090321.5 | 一種提高GaN基LED靜電耐受能力的外延生長方法 | 發明 |
| 201410003103.3 | 一種LED芯片制造的方法 | 發明 |
| 201410002107.X | 一種避免大尺寸外延裂片的外延生長方法 | 發明 |
| 201410001948.9 | 一種高亮度氮化鎵基發光二極管外延生長方法 | 發明 |
| 201410001887.6 | 一種提高氮化鎵基發光二級管發光效率的溝道層技術生長方法 | 發明 |
| 201410001858.X | 一種具有新型的P型電子阻擋層結構的發光二級管的生長方法 | 發明 |
| 201410001845.2 | 一種提高LED發光效率的外延生長方法 | 發明 |
| 201320138490.2 | 一種新型直下式LED背光源 | 實用新型 |
| 201310311113.9 | 一種LED芯片清洗提籃 | 發明 |
| 201310224408.2 | 改善GaN基外延片內波長集中度的外延結構及生長方法 | 發明 |
| 201310180372.2 | 一種GaN基發光二極管外延結構的生長方法 | 發明 |
| 201310099202.1 | 具有梯形結構的N型插入層的LED外延片及其生長方法 | 發明 |
| 201310008579.1 | 一種提高LED亮度的多量子阱層生長方法 | 發明 |
| 201210513522.2 | 一種大功率LED燈及其封裝方法 | 發明 |
| 201210457337.6 | 一種LED芯片及其制備方法 | 發明 |
| 201210424140.2 | 一種提高發光效率的外延結構及其制備方法 | 發明 |
| 201210367661.9 | 一種發光原件的切割方法 | 發明 |
| 201210367628.6 | 一種具有不同切割孔深度的發光原件切割方法 | 發明 |
| 201210341597.7 | 一種含介電層的半導體原件的切割方法 | 發明 |
| 201210341574.6 | 具有布拉格反射結構的四元系LED芯片 | 發明 |
| 201210281517.3 | 一種用于半導體晶圓減薄工藝的除蠟方法 | 發明 |
| 201210249443.5 | 一種含金屬背鍍的半導體原件的切割方法 | 發明 |
| 201210243438.3 | 具有階梯式電流阻擋結構的LED芯片及其制作方法 | 發明 |
| 201120568437.7 | 一種用于LED封裝的支架結構 | 實用新型 |
| 200910051657.X | 用于光電器件的多量子阱結構及其制造方法 | 發明 |
| 200910021736.6 | 一種封裝LED的導電銀膠及其制備方法 | 發明 |